3．3硅棒破碎后的表面金属杂质含量0428多晶硅的表面金属杂质引入探讨重庆市计量质量检测研究院重庆401123ms法测定多晶硅出炉后各个阶段的表面金属杂质含量找多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库,多晶硅中杂质含量、分布的检测方法各具特点，应根据检测杂质元素种类、含量、分布情况、样品预处理难易程度、杂质含量检出限、检测时间以选择合适的检测方法。.用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程(标准状态：现行),1.2多晶硅中施主、受主杂质的浓度及碳浓度可以用来判定多晶硅材料是否满足要求。1.3多晶硅中的杂质浓度可以用来监测多晶硅生产原料的纯度、生产工艺以
图436轻微Fe污染的铸造多晶硅样品在氢钝化前后的电子束诱生电流图像氢钝化的效果与氢在硅中的外扩散和在缺陷处的沉积相关。复合中心的密度远高于大角晶界，因此钝酸洗法去除工业硅中金属杂质豆丁网,结果及讨论2.1破碎方式与粒度的选择将工业硅用颚式破碎机破碎至cm，然后用对辊机或气流破碎机进行制粉。与对辊破碎相比，气流破碎主要是通过物料之间的全自动多晶硅破碎系统全自动智能化多晶硅自动破碎生产线,二、系统特点.全自动智能化多晶硅自动破碎生产线具有快捷高效的工作特点，并且可以全面杜绝多晶硅破碎过程中的二次污染问题，保证了多晶硅的质量纯度为核
河南科技大学毕业设计（论文）1.4铸造多晶硅中主要杂质及影响多晶硅中的杂质对多晶硅太阳能电池片的性能影响很大，在铸造多晶硅中常见的有害杂质元素有多晶硅生产：毒污染高耗能不容忽视中国粉体网,生产多晶硅的副产品——四氯化硅是高毒物质。.用于倾倒或掩埋四氯化硅的土地将变成不毛之地，草和树都不会在这里生长。.它具有潜在的极大危险，不仅有多晶硅破碎处理提纯中原矿机,电工、微电子和光多晶硅破碎污染雜质純度多晶硅资料光盘回收多晶硅多晶硅制备多晶资料光盘阿里巴巴用化学冶金提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用酸、碱等化学手段提
在多晶硅破碎块中，对于源自破坏工具的材质而不可避免地产生污染的钨、钴，能一起高度地去除。一种多晶硅破碎块，其特征在于，表面金属浓度为15.0pptw多晶硅的表面金属杂质引入探讨百度文库,3．3硅棒破碎后的表面金属杂质含量0428多晶硅的表面金属杂质引入探讨重庆市计量质量检测研究院重庆401123ms法测定多晶硅出炉后各个阶段的表面金属杂质含量找出多晶硅出炉后各个阶段表面金属杂质的引入方式探讨各个阶段对多晶硅表面金属杂质含量的影响用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程(标准状态：现行),1.2多晶硅中施主、受主杂质的浓度及碳浓度可以用来判定多晶硅材料是否满足要求。1.3多晶硅中的杂质浓度可以用来监测多晶硅生产原料的纯度、生产工艺以及产品的合格性。1.4本标准描述了分析多晶硅中施主、受主及碳元素所采用的取样和区熔拉晶制样
结果及讨论2.1破碎方式与粒度的选择将工业硅用颚式破碎机破碎至cm，然后用对辊机或气流破碎机进行制粉。与对辊破碎相比，气流破碎主要是通过物料之间的反复碰撞、磨擦、剪切而粉碎，一定程度避免了与金属材质的接触，减少杂质的污为用对辊和气流粉碎两种方式破碎后硅料中金属杂质的含量。年产10吨高纯多晶硅的生产工艺设计毕业设计豆丁网,年产10吨高纯多晶硅的生产工艺设计毕业设计.docx.毕业设计（论文）题目：年产10吨高纯多晶硅的生产工艺设计教学院：化学与材料工程学院专业名称：化学工程与工艺201040820102学生姓名：学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师硅料四大分级，两大工艺，两大成本，五大巨头！OFweek,硅的主要评判指标是纯度，你想想，如果硅原子之间有一堆杂质，那电子就别想在满轨道和空轨道之间跑顺畅，无论啥东西，纯度越高制造难度越大，多晶硅按照产品纯度的不同分为工业／金属硅、冶金级、太阳能级、电子级。.用于光伏生产的太阳能级多晶硅
多晶硅铸锭中的杂质分布及其影响因素.doc,多晶硅铸锭中的杂质分布及其影响因素摘要近年来，太阳电池发电受到了人们的日益重视。硅是当前用来制造太阳能电池的主要材料，由于低成本、低耗能和少污染的优势，目前铸造多晶硅已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。多晶硅硅棒的破碎方法盖德化工问答,从还原炉成形完成后的硅棒破碎，人工方法居多，也有机械空气锤砸的。.拿下来后都会先锯成20~30cm长一段一段的。.人工方法包括直接用碳化钨锤砸，有人提到用不锈钢垫着，试想不锈钢会污染多晶硅，专利中提到用高纯水冰块垫着，污染就基本解决单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训课件百度文库,由于原料的高纯度，生成的Si中其它杂质的总和小于20ppm，产品经过氧化脱碳和定向凝固除杂处理可以达到制备太阳能电池所用硅的纯度要求。又由于该工艺过程对硅石原料和还原剂的纯度要求非常严格，对碳粒度要求高，而且要避免其它杂对Si的污染，要实现大规模的生产还有很多问题要解决。
高纯度的碳化钨材料，是一种由钨和碳组成的化合物，耐磨耐用，对硅破碎料污染很小，但是高纯度碳化钨其余与硅料有接触的地方均设有用于防止对多晶硅料产生污染的pp板进行防护，由此避免了多晶硅料在破碎的过程中产生污染。颚式多晶硅破碎块及其制造方法技术技高网,在多晶硅破碎块中，对于源自破坏工具的材质而不可避免地产生污染的钨、钴，能一起高度地去除。一种多晶硅破碎块，其特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，优选为7.0～13.0pptw，所述表面金属浓度中，表面钨浓度为0.9pptw以下，优选为0.40～0.85pptw，并且表面钴浓度为0.3ppt用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程(标准状态：现行),1.2多晶硅中施主、受主杂质的浓度及碳浓度可以用来判定多晶硅材料是否满足要求。1.3多晶硅中的杂质浓度可以用来监测多晶硅生产原料的纯度、生产工艺以及产品的合格性。1.4本标准描述了分析多晶硅中施主、受主及碳元素所采用的取样和区熔拉晶制样
6.8多晶硅电阻率检验按GB/T1551的规定进行。6.9多晶硅中氧含量测试按GB/T1557或GB/T35306的规定进行。6.10块状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验。棒状多晶硅尺寸及偏差用相应精度的量具测量。6.11多晶硅结构（氧化夹层、温度夹层）的检验按多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程,1.本技术涉及多晶硅生产技术领域，具体而言，涉及一种多晶硅棒破碎系统及破碎方法。背景技术：2.多晶硅是生产太阳能电池、半导体元件的基础材料。目前多晶硅的主流制备过程包括：将冶金级硅粉通过改良西门子法，在cvd反应器中采用硅芯载体电加热的方式，气相沉积制得多晶硅棒，多晶硅棒硅料四大分级，两大工艺，两大成本，五大巨头！OFweek,硅的主要评判指标是纯度，你想想，如果硅原子之间有一堆杂质，那电子就别想在满轨道和空轨道之间跑顺畅，无论啥东西，纯度越高制造难度越大，多晶硅按照产品纯度的不同分为工业／金属硅、冶金级、太阳能级、电子级。.用于光伏生产的太阳能级多晶硅
由于原料的高纯度，生成的Si中其它杂质的总和小于20ppm，产品经过氧化脱碳和定向凝固除杂处理可以达到制备太阳能电池所用硅的纯度要求。又由于该工艺过程对硅石原料和还原剂的纯度要求非常严格，对碳粒度要求高，而且要避免其它杂对Si的污染，要实现大规模的生产还有很多问题要解决。太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状.pdf,太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状.pdf,太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状／吴洪军等·l35·太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状吴洪军，陈秀华，马文会，梅向阳，蒋咏(1云南大学物理科学与技术学院，昆明650091；2昆明理工大学真空冶金国家工程实验室，昆明650093)摘要综述了几类主要多晶硅有什么污染百度知道,多晶硅有什么污染.四氯化硅为制造多晶硅时产生的副产品，是一种有毒的物质，会对环境造成严重污染。.由于该种物质回收再利用的成本昂贵，多数中国太阳能厂房均未装设或完全安装相关的回收设备。.随着我国多晶硅总产量的逐年增加，多晶硅的副产物
高纯度的碳化钨材料，是一种由钨和碳组成的化合物，耐磨耐用，对硅破碎料污染很小，但是高纯度碳化钨其余与硅料有接触的地方均设有用于防止对多晶硅料产生污染的pp板进行防护，由此避免了多晶硅料在破碎的过程中产生污染。颚式多晶硅破碎块及其制造方法技术技高网,在多晶硅破碎块中，对于源自破坏工具的材质而不可避免地产生污染的钨、钴，能一起高度地去除。一种多晶硅破碎块，其特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，优选为7.0～13.0pptw，所述表面金属浓度中，表面钨浓度为0.9pptw以下，优选为0.40～0.85pptw，并且表面钴浓度为0.3ppt多晶硅破碎处理提纯中原矿机,电工、微电子和光多晶硅破碎污染雜质純度多晶硅资料光盘回收多晶硅多晶硅制备多晶资料光盘阿里巴巴用化学冶金提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用酸、碱等化学手段提纯硅到％纯度的多晶硅一种方法简易、成本低、工艺安全和较少污染的多晶硅的除